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NP50P04KDG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
20
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
15
V GS = ? 4.5 V
C iss
C oss
1000
10
5
? 10 V
100
C rss
0
I D = ? 25 A
Pulsed
10
V GS = 0 V
f = 1 MHz
-75
-25
25
75
125
175
225
-0.1
-1
-10
-100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
t d(of f )
-40
-12
100
t f
t d(on)
-30
-20
V DD = ? 32 V
? 20 V
? 8V
-9
-6
10
V DD = ? 20 V
t r
-10
V GS
-3
1
V GS = ? 10 V
R G = 0 Ω
0
V DS
I D = ? 50 A
0
-0.1
-1
-10
-100
0
20
40
60
80
100
120
-1000
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1000
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
-100
100
-10
-1
-0.1
V GS = ? 10 V
0V
10
di/dt = ? 100 A/ μ s
-0.01
0
0.5
1
Pulsed
1.5
1
-0.1
V GS = 0 V
-1
-10
-100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D18688EJ3V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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